发明名称 磁阻膜层结构暨使用此磁阻膜层结构之磁场感测器应用
摘要
申请公布号 TWI513071 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW103111989 申请日期 2014.03.31
申请人 昇佳电子股份有限公司;国立清华大学 发明人 黄鑫泓;翁焕翔;赖志煌;黄国峰
分类号 H01L43/08;G01R33/09 主分类号 H01L43/08
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项 一种磁阻膜层结构,包含:一固定层;一自由层;一被固定层,介于该固定层与该自由层之间,并与该固定层直接接触;一正交耦合层,介于该被固定层与该自由层之间,并与该被固定层直接接触;一参考层,介于该正交耦合层与该自由层之间,并与该正交耦合层直接接触,其中该被固定层的磁化方向与该参考层的磁化方向彼此垂直;以及一间隙壁层,介于该参考层与该自由层之间,并与该参考层及该自由层直接接触。
地址 新竹市光复路2段101号