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经营范围
发明名称
磁阻膜层结构暨使用此磁阻膜层结构之磁场感测器应用
摘要
申请公布号
TWI513071
申请公布日期
2015.12.11
申请号
TW103111989
申请日期
2014.03.31
申请人
昇佳电子股份有限公司;国立清华大学
发明人
黄鑫泓;翁焕翔;赖志煌;黄国峰
分类号
H01L43/08;G01R33/09
主分类号
H01L43/08
代理机构
代理人
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
一种磁阻膜层结构,包含:一固定层;一自由层;一被固定层,介于该固定层与该自由层之间,并与该固定层直接接触;一正交耦合层,介于该被固定层与该自由层之间,并与该被固定层直接接触;一参考层,介于该正交耦合层与该自由层之间,并与该正交耦合层直接接触,其中该被固定层的磁化方向与该参考层的磁化方向彼此垂直;以及一间隙壁层,介于该参考层与该自由层之间,并与该参考层及该自由层直接接触。
地址
新竹市光复路2段101号
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