发明名称 用于静电防护之半导体结构
摘要
申请公布号 TWI512934 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW102147561 申请日期 2013.12.20
申请人 台湾类比科技股份有限公司 发明人 柯钧钟;吴志伦;林硕彦
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项 一种用于静电防护之半导体结构,设置于一积体电路上,该积体电路包含一封环(seal ring)设置于该积体电路之外围,一金属环设置于该封环之内侧,以及一电源汇流排设置于该金属环之一侧,该半导体结构包含:一第一P型电极区,形成于一P型井上相对应于该封环之位置,且耦接至该封环;一第二P型电极区,形成于该P型井上相对应于该金属环之位置,且耦接至该金属环;以及一第一N型电极区,形成于相对应于该电源汇流排之位置,且耦接至该电源汇流排;其中该封环及该金属环系耦接至一接地端,该电源汇流排系耦接至一电压源。
地址 新竹市科学园区工业东二路17号2楼