半导体结构及其制造方法

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基底，其中该基底上已形成有一介电层，该介电层具有一第一开口与一第二开口，该第一开口与该第二开口系暴露出部分的该基底，而该第一开口两侧的基底中已分别形成有一第一掺杂区，该第二开口两侧的基底中已分别形成有一第二掺杂区，且该第一开口与该第二开口的底部已覆盖有一闸极介电层，该闸极介电层包括一高介电常数材料层以及一阻障层，其中该高介电常数材料层系形成于该阻障层上；于该第二开口内的该闸极介电层上形成一共形的牺牲层；于该第一开口内之该闸极介电层以及该第二开口内之该牺牲层上形成一第一功函数金属层；以及移除该第二开口内之该第一功函数金属层与该牺牲层。