| 主权项 |
一种萧基位障二极体(Schottky barrier diode)，其包含：一第一型基板；一第二型井隔离区，于该第一型基板上；一第一型井区，于该第二型井隔离区上；一周边电容井接合环，于该第二型井隔离区上；一第二型井区，于该第二型井隔离区上，该周边电容井接合环系位于该第一型井区和该第二型井区之间并将其隔开；一第二型接触区，于该第二型井区上；一第一型接触区接触该第一型井区之一里面部分，该第一型井区之该里面部分系位于该第一型接触区之一中心内；一第一欧姆金属层，于该第一型接触区上；以及一第二欧姆金属层，于该第一型井区上，该第一欧姆金属层在一接合点接触该第二欧姆金属层，该接合点包含该萧基位障二极体之一萧基位障；其中该第二型井区具有一较低部分接触该第一型基板，该第二型井区之该较低部分接触并围绕该第二型井隔离区。
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