发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 TWI513302 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW100107560 申请日期 2011.03.07
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 黑川义元;池田隆之;田村辉
分类号 H04N5/351;G06F3/042 主分类号 H04N5/351
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包含:一像素中的一第一光感测器;该像素外的一第二光感测器;及一控制器,其用于依据由该第二光感测器取得之光之强度而设定该第一光感测器之一驱动条件,其中该第一光感测器之敏感度系依据该驱动条件而改变。
地址 日本