| 发明名称 | 埋入式字元线动态随机存取记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512902 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW102112155 | 申请日期 | 2013.04.03 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡泓祥;郑璨耀 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种埋入式字元线动态随机存取记忆体，包括：基板；至少一埋入式字元线结构，配置于所述基板中，所述埋入式字元线结构包括一埋入式字元线；多数个第一掺杂区，分别邻接所述埋入式字元线结构的两侧并配置在所述基板中；以及多数个第二掺杂区，分别配置在所述第一掺杂区上方的所述基板中，其中所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度，且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的界面在所述基板中的深度为所述埋入式字元线的顶部表面在所述基板中的深度。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||