| 发明名称 | 用于三维装置之具有多个垂直延伸之导体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512904 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW102141631 | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;吕函庭 |
| 分类号 | H01L21/8247;H01L27/115;G11C16/02 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种在三维电路中形成导体的方法，包括：提供一基板，该基板具有复数个间隔开之堆叠；沉积一导体材料于该些间隔开之堆叠之上，以形成一导体材料本体；蚀刻该导体材料本体，以形成一垂直孔洞图样于该导体材料本体中的该些间隔开之堆叠之间，藉以在该些间隔开之堆叠之间，形成一垂直柱图样；以及蚀刻该导体材料本体，以形成复数个沟渠于该些间隔开之堆叠上，并排列连接该垂直孔洞图样中的垂直孔洞，藉以形成一水平线图样于该些间隔开之堆叠上之该导体材料本体上，该水平线图样之多条水平线系连接该垂直柱图样中的多个垂直柱。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||