具有含低带隙包覆层之通道区的非平面半导体装置

主权项

一种半导体装置，包含：复数条奈米线的一垂直配置，配置在基板上，每一奈米线相对于该基板水平地定向且每一奈米线包含具有第一带隙的内区域以及围绕该内区域的一外包覆层，该包覆层具有较窄之第二带隙；一闸极堆叠，配置在每一奈米线的通道区域上并且将它完全围绕，该闸极堆叠包含配置在该包覆层上并且围绕它的闸极介电层以及配置在该闸极介电层上的闸极电极；以及源极与汲极区域，配置在该些奈米线之该些通道区域的任一侧上。