化合物半导体装置及其制造方法

主权项

一种化合物半导体装置，包含：一化合物半导体层；及一对电极，系形成在该化合物半导体层之上侧；该对电极系为源极电极及汲极电极；其中该汲极电极具有沿多数输送电子出自与该化合物半导体层之接触表面的多数底面，且该等多数底面系设置成与该等输送电子不同距离，并且较靠近该源极电极的该底面系较远离该等输送电子。