| 主权项 |
一种发光二极体结构，包含：一基板；一发光二极体元件，包含：一第一N型半导体层，位于该基板上；一第一发光层，位于部分该第一N型半导体层上，并使剩余之该第一N型半导体层裸露；一第一P型半导体层，位于该第一发光层上；一第一透明导电层，覆盖于该第一P型半导体层上；一第一电极，位于该第一透明导电层上；以及一第二电极，位于该裸露的第一N型半导体层上；一逆电流保护元件，位于该基板上且环绕该发光二极体元件，且与该发光二极体元件之间具有一绝缘间距，该逆电流保护元件包含：一堆叠层，系由一第二N型半导体层、一第二发光层及一第二p型半导体层依序堆叠于该基板所形成，且在邻近该第一电极之处有部分该第二N型半导体层是裸露且未被该第二发光层和该第二P型半导体层所覆盖；一第一导体，位在邻近该第二电极之该第二P型半导体层上；以及一第二导体，位在该裸露的该第二N型半导体层
上；一第三导体，电性连接该第一导体和该第二电极；以及一第四导体，电性连接该第二导体和该第一电极，使该发光二极体元件与该逆电流保护元件反向并联。
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