发明名称 用于管理错误区域之记忆体装置及方法
摘要
申请公布号 TWI512747 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW099101829 申请日期 2010.01.22
申请人 美光科技公司 发明人 杰德罗 乔M
分类号 G11C29/42 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体装置,其包括:一记忆体晶粒堆叠;及至少一个逻辑晶粒,其附接至该记忆体晶粒堆叠之一侧,该逻辑晶粒包含一记忆体映射逻辑以重新分割该记忆体晶粒堆叠,其中该记忆体映射逻辑监视该记忆体晶粒堆叠之经动态定大小的第一分割,其中所监视之该等第一分割之大小系依据错误率来加以调整,且其中一有缺陷的贯穿晶圆互连(TWI)下方之若干个部分有缺陷的第一分割之第一记忆体储存库之多个部分一起重新分割成至少一个第二分割。
地址 美国