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经营范围
发明名称
半导体装置及半导体储存装置
摘要
申请公布号
TWI512949
申请公布日期
2015.12.11
申请号
TW100148067
申请日期
2011.12.22
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
小山润;山崎舜平
分类号
H01L27/105;H01L21/8239;H01L29/04
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置,包括:储存电路,其中,该储存电路包括:第一电晶体,其源极和汲极中的一方接收资料信号;第二电晶体,其闸极与该第一电晶体的该源极和该汲极中的另一方电连接;以及第三电晶体,其源极和汲极中的一方与该第二电晶体的源极或汲极电连接,其中该第一电晶体包括具有夹着通道形成的一对区域的氧化物半导体层,以及其中,在该一对区域中添加有掺杂剂。
地址
日本
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