| 主权项 |
一种单光子光源组件制造方法，包括以下步骤：提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层，所述量子阱层的材料为InxGa1-xN，其中，0<x1，所述结构层的材料为AlyGa1-yN，其中0y1；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的阵列和一平面区，其中N型GaN层未被完全蚀刻；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3气氛中热处理，使量子阱层转变为量子点层，所述量子点层为包含量子点的InzGa1-zN层，其中，0<z1；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。 |
