发明名称 具温度分布控制之制程方法及装置
摘要
申请公布号 TWI512883 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW100106284 申请日期 2011.02.24
申请人 维克仪器公司 发明人 古瑞 艾利克斯;比路索夫 米凯尔;伯古斯拉维斯基 维汀;密托维克 波仁
分类号 H01L21/683;H01L21/324 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种晶圆加工方法,其包含:(a)将一或多个晶圆固持于一载体上,以使各晶圆之底表面以各晶圆之底表面与载体之对立表面间界定之一间隙直接面对载体之该表面,及曝露各晶圆之一顶表面;(b)藉由自该载体穿过各晶圆底表面与该载体之对立表面间之该间隙之转移热来至少部份地加热该等晶圆;(c)于加热步骤期间,将一或多种制程气体施用至该等晶圆之曝露顶表面;及(d)于该施用步骤期间,改变位于各晶圆底表面与该载体之对立表面间之该间隙中之填充气体之导热性,其中在步骤(a)、(b)、(c)及(d)中各晶圆位于该载体之支撑上,其中该等晶圆于该施用步骤期间形变,以致该等间隙组态于该施用步骤期间会经时变化,及其中该填充气体之导热性变化至少部份地抵消该组态变化对晶圆顶表面之温度分布的影响。
地址 美国