| 发明名称 |
积体电路记忆体存取机构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI512757 |
申请公布日期 |
2015.12.11 |
| 申请号 |
TW099103837 |
申请日期 |
2010.02.08 |
| 申请人 |
密西根大学董事会 |
发明人 |
陈葛里格瑞肯禾;席维斯特丹尼斯麦克;伯劳大卫希欧多尔 |
| 分类号 |
G11C7/12 |
主分类号 |
G11C7/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种积体电路记忆体，至少包含：一记忆体单元，其具有：一位元值保存电路；一第一闸电路，其可选择性地将该位元值保存电路耦接至一第一节点；及一第二闸电路，其可选择性地将该位元值保存电路耦接至一第二节点；以及一存取控制器，其耦接至该第一闸电路及该第二闸电路，该存取控制器系配置成：在对该位元值保存电路进行一写入存取期间，该存取控制器控制该第一闸电路及该第二闸电路使其二者为开启；及在对该位元值保存电路进行一读取存取期间，该存取控制器控制该第一闸电路为开启而控制该第二闸电路为关闭。
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| 地址 |
美国密西根州安亚柏市 |
