薄膜太阳能电池及其制造方法

主权项

一种薄膜太阳能电池，其包含：一基板；以及一半导体层，其包含：一P型晶矽层，系位于该基板上；一第一I型晶矽层，系位于该P型晶矽层上；一第一N型晶矽层，系位于该第一I型晶矽层上；一第二I型晶矽层，系位于该第一N型晶矽层上；以及一第二N型晶矽层，系位于该第二I型晶矽层上；其中，该第二I型晶矽层之厚度系小于该第一I型晶矽层厚度之20%。