| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512838 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW100134413 | 申请日期 | 2011.09.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林建良;蔡世鸿;林俊贤;孙德霖;王韶韦;颜英伟;王俞仁 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包含有：提供一基底；形成至少一鳍状结构于该基底上及一氧化层于该鳍状结构以外之该基底上；以及进行一热处理制程，以于至少部分该鳍状结构的侧壁形成一熔融层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||