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经营范围
发明名称
半导体装置及其驱动方法
摘要
申请公布号
TWI512837
申请公布日期
2015.12.11
申请号
TW100130105
申请日期
2011.08.23
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
渡边一德;柳泽真
分类号
H01L21/336;H01L27/088;H01L29/786
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置,包含:彼此相离之源极电极及汲极电极;与该源极电极及该汲极电极电接触之半导体层;至少该半导体层上之第一绝缘层;该第一绝缘层上之闸极电极;至少该闸极电极上之第二绝缘层;以及该第二绝缘层上之电场控制电极,其中,该闸极电极与该半导体层之第一区域及该源极电极重叠,其中,该闸极电极未与该汲极电极重叠,其中,该电场控制电极与该半导体层之第二区域重叠,并配置于该闸极电极与该汲极电极之间,以及其中,该电场控制电极电连接至该源极电极。
地址
日本
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