| 发明名称 |
含氧阻障层的金属闸极堆叠的场效电晶体装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI512979 |
申请公布日期 |
2015.12.11 |
| 申请号 |
TW100100289 |
申请日期 |
2011.01.05 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
阿度稣米利 普内;加勒盖瑞 亚力珊卓;张 约瑟芬Ｂ;崔章焕;法兰克 马汀Ｍ;基尔隆 麦可Ａ;那雷雅南 卫贾 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/31;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼Ａ区 |
| 主权项 |
一种场效电晶体装置，其包含：一半导体基板；一闸极堆叠，包含：一闸极介电层，其覆盖于该半导体基板上；一导电氧阻障层，其覆盖于该闸极介电层上；一低电阻金属层，其覆盖于该氧阻障层上，其中该闸极堆叠中的每一层具有之矽、锗或矽锗组合物的原子百分比系低于90%；以及一传导材料层，其位于该闸极介电层与该氧阻障层之间；一间隔物，其与该闸极堆叠相邻且与该闸极堆叠的每一层直接接触；以及一封装层于该闸极介电层的一顶部上并与该低电阻金属层相接触，该封装层与该间隔物相邻并直接接触。
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| 地址 |
美国 |
