| 主权项 |
一种非挥发性半导体记忆装置，其包含：第1记忆单元阵列区域；第2记忆单元阵列区域；及供电区域，其在半导体基板上被上述第1记忆单元阵列区域和上述第2记忆单元阵列区域所夹；其中上述第1记忆单元阵列区域、上述第2记忆单元阵列区域及上述供电区域并列(side by side)配置于第1方向上；且该非挥发性半导体记忆装置包含：(a)第1控制闸极电极，其沿着上述第1方向从上述第1记忆单元阵列区域延伸到上述供电区域并且包含配置在上述供电区域内之第1终端部；(b)第1记忆体闸极电极，其于上述第1控制闸极电极的侧壁介隔第1绝缘膜而形成，并且延伸于上述第1方向上；(c)第2控制闸极电极，其沿着上述第1方向从上述第2记忆单元阵列区域延伸到上述供电区域，并且包含配置在上述供电区域内之第2终端部；及(d)第2记忆体闸极电极，其于上述第2控制闸极电极的侧壁介隔第2绝缘膜而形成，并且延伸于上述第1方向上之；其中上述第1控制闸极电极和上述第2控制闸极电极被配置成一直线状，且上述第1终端部和上述第2终端部系彼此分离地配置；
且该非挥发性半导体记忆装置进一步包括：(e)供电配线，其系一端配置于上述第1终端部上并且另一端配置于上述第2终端部上；及(f)插头，其与上述供电配线电性连接；其中上述供电配线系将形成上述第1记忆体闸极电极及上述第2记忆体闸极电极之第1导体膜予以加工(processing)而形成，上述第1记忆体闸极电极和上述第2记忆体闸极电极系经由上述供电配线而电性连接；一规定电压经由上述供电配线而施加于上述第1记忆体闸极电极及上述第2记忆体闸极电极；一虚拟部形成于上述第1终端部与上述第2终端部之间；上述供电配线系配置于上述虚拟部上；且上述插头系藉由上述供电配线而形成于上述虚拟部上。
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