发明名称 用于非平面电晶体之源极/汲极接点
摘要
申请公布号 TWI512987 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW101135607 申请日期 2012.09.27
申请人 英特尔公司 发明人 普拉德汉 山米尔S;乔斯 沙布哈许M;秦金宋
分类号 H01L29/78;H01L29/40 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种微电子装置,其系包含:于一非平面电晶体鳍部上方之一非平面电晶体闸极,其中该非平面电晶体闸极系包含凹陷在闸极间隔体间之一闸极电极,及设置在该等闸极间隔体间的该凹陷闸极电极上之一覆盖结构;一含矽源极/汲极区;于该源极/汲极区、该非平面电晶体闸极间隔体、及该覆盖结构上方之至少一个电介质材料层;一源极/汲极接点,其系延伸贯穿该至少一个电介质材料层之一部分且系包含一传导性接点材料及设置于传导性接点材料与该含矽源极/汲极区间之一含钛接点界面层;及设置于该含矽源极/汲极区与该含钛接点界面层间之一矽化钛界面。
地址 美国