| 发明名称 |
高纯度镧之制造方法、高纯度镧、由高纯度镧所构成之溅镀靶及以高纯度镧为主成分之金属闸膜 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI511926 |
申请公布日期 |
2015.12.11 |
| 申请号 |
TW101101907 |
申请日期 |
2012.01.18 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 |
| 分类号 |
C01F17/00;C22B59/00;C23C14/34;C23C14/14;H01L21/203 |
主分类号 |
C01F17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种高纯度镧之制造方法，其以不计气体成分纯度为2N~3N的粗镧原料为起始原料，于浴温450~700℃进行熔盐电解而获得镧晶体，继而使用脱盐炉于850℃以下之温度对该镧晶体进行真空加热并利用蒸汽压差将金属与盐分离，藉此进行脱盐处理，于脱盐处理后，进行电子束熔解除去挥发性物质。
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| 地址 |
日本 |
