发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI513046 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW102130074 申请日期 2013.08.22
申请人 荣创能源科技股份有限公司 发明人 彭建忠;洪梓健;沈佳辉;刘芝蓉
分类号 H01L33/44;H01L33/46 主分类号 H01L33/44
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体,其包括:一基板;一磊晶结构,其包括依次形成在基板上之第一型半导体层、活性层、第二型半导体层,该磊晶结构藉由蚀刻露出部分第一型半导体层;一第一电极,其形成在露出之第一型半导体层上;一第二电极,其形成在第二型半导体层上;所述第一电极之外表面上依次形成有第一透明保护层、反射层以及第二透明保护层。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号