| 发明名称 | 用于改善记忆体读取速率的装置与方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI512759 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
| 申请号 | TW102111837 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林永丰;罗思觉;陈太峰 |
| 分类号 | G11C8/08;G11C5/14;G11C7/22 | 主分类号 | G11C8/08 |
| 代理机构 | 代理人 | 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼 | |
| 主权项 | 一记忆体装置，包括：一记忆胞阵列；与该记忆胞阵列耦接的复数感测放大器；复数输出资料线，其接收该复数感测放大器中相应感测放大器的输出；以及复数预充电电路，配置以电性连接该输出资料线，并施加一预充电电压在该输出资料线上，其中该预充电电路在该感测放大器驱动输出资料讯号至该输出资料线之前先预充电该输出资料线。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||