发明名称 用于镶嵌式图案化之AVD硬遮罩
摘要
申请公布号 TWI512893 申请公布日期 2015.12.11
申请号 TW101148340 申请日期 2012.12.19
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 布莱恩 露丝;费雪 凯文;查德 麦可
分类号 H01L21/768;H01L23/52 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种形成积体电路结构的方法,包含:在积体电路结构的接触点上形成介电层;在该介电层的表面上形成包含介电材料的硬遮罩;在该硬遮罩中形成开口,并在该介电层中形成沟槽;在该沟槽中以及在该硬遮罩上形成牺牲材料;在该牺牲材料上形成遮罩,该遮罩具有用于贯孔形成的至少一开口;使用该硬遮罩做为图案,在该介电层中形成至少一个到达该接触点的贯孔;以及在形成到达该接触点的该至少一个贯孔之后,在该贯孔中形成与仍保留在该介电层上之该硬遮罩的互连。
地址 美国