发明名称 | 半导体元件结构与其分离方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI512807 | 申请公布日期 | 2015.12.11 |
申请号 | TW100120295 | 申请日期 | 2011.06.09 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈世益;林敬倍;徐子杰;许嘉良 |
分类号 | H01L21/30;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/30 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种半导体元件结构的分离方法,包含:提供一基板,具有一第一表面与一相对于该第一表面的一第二表面;形成复数间隔的半导体磊晶叠层于该第一表面上;形成一图案化光阻层覆盖该些半导体磊晶叠层并暴露部分该第一表面,或覆盖该基板相对于该些间隔的半导体磊晶叠层的该第二表面;以物理方式沿着该第一表面或该第二表面未被该图案化光阻层覆盖的部分直接侵蚀并裂开该基板,其中该物理方式为一微喷砂方式;以及分离该些间隔的半导体磊晶叠层以形成复数的半导体元件结构。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 |