| 主权项 |
一种成膜装置，系于真空容器内依序供给含有第1反应气体及第2反应气体之至少2种原料气体，并藉由实施依序供给该至少2种原料气体之供给循环来形成薄膜，其具有：回转台，系可回转地设置于该真空容器内，并具有用以载置基板的基板载置部；保护顶板，系对向地设置在该回转台上以保护该真空容器不受该第1反应气体及该第2反应气体的侵蚀；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，系分别从该回转台周缘之互为相异的位置朝向回转中心设置，以供给该第1反应气体与该第2反应气体；第1分离气体供给部，系从该第1反应气体供给部与该第2反应气体供给部之间之该回转台周缘之位置朝向回转中心设置，以供给用以分离该第1反应气体与该第2反应气体之第1分离气体；其中，含有该第1反应气体供给部之该保护顶板的下面，具有设置在距离该回转台为第1高度处第1下面区域；该第1下面区域与该回转台之间形成有第1空间；含有该第2反应气体供给部之该保护顶板的下面，在离开该第1下面区域的位置具有设置在距离该回转台为第2高度处之第2下面区域；该第2下面区域与该回转台之间形成有第2空间；包含该第1分离气体供给部并沿着该回转台的回转方向在位于该第1分离气体供给部两侧之该保护顶板的下面，具有设置在距离该回转台较该第1高度及该第2高度要低之第3高度的第3下面区域；该第3下面区域与该回转台之间，形成有具有该第3高度之第3空间，用以使该第1分离气体供给部所供给的该第1分离气体流至该第1空间及该第2空间；真空容器保护部，系为了保护该真空容器不受该第1反应气体及该第2反应气体的侵蚀，而被设置为和该保护顶板一起围绕该回转台、该第1空间、该第2空间及该第3空间；该保护顶板的下面具有设置有第2分离气体供给部的中心部区域，将用以分离该第1反应气体与该第2反应气体之第2分离气体供给至该回转台之回转中心的该基板载置部侧；排气口，系将从该第3空间两侧所喷出之该第1分离气体及从该中心部区域所喷出之该第2分离气体连同该第1反应气体及该第2反应气体一起排气。 |
