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<p>Verfahren des Wachsens eines Einkristalls eines Nitrids eines zu der Gruppe III zugehörigen Metalls, wobei das Verfahren ein Vorlagensubstrat verwendet, das einen Substrathauptkörper mit zumindest einer Seitenfläche und einem Paar von Hauptflächen und zumindest einen Unterlagefilm aus einem Einkristall eines Nitrids eines zu der Gruppe III zugehörigen Metalls, der auf zumindest einer Hauptfläche des Substrathauptkörpers gebildet ist, umfasst, um den Einkristall auf dem Unterlagefilm durch einen Flüssigphaseprozess zu wachsen, wobei der Unterlagefilm in einer Draufsicht eine Form einer konvexen Figur aufweist, wobei eine Oberfläche ohne den Unterlagefilm darauf den gesamten Umfang des Unterlagefilms umrundet, und wobei das Vorlagensubstrat entweder mehrere Unterlagenfilme umfasst und der Einkristall eines Nitrids eines zu der Gruppe III zugehörigen Metalls, der auf dem Unterlagefilm gewachsen wird, nicht mit einem Einkristall eines Nitrids eines zu der Gruppe III zugehörigen Metalls, der auf einem anderen Unterlagefilm gebildet wird, in Kontakt gebracht wird oder das Vorlagensubstrat genau einen Unterlagenfilm umfasst.</p> |
