光電子素子

摘要

本発明は、光活性領域を含む光電子素子を提供し、この光活性領域は、少なくとも１つのｎ型層を含むｎ型領域と、少なくとも１つのｐ型層を含むｐ型領域と、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層とを含む。ペロブスカイト半導体は、一般に光吸収性である。いくつかの実施例では、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたものは、ｉ典型的に多孔質であるスカフォールド材料及び典型的にスカフォールド材料の気孔内に配されたペロブスカイト半導体を含む第１の層、及びｉｉ前記第１の層の上に配置されたキャッピング層であって、このキャッピング層は、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層とを含み、キャッピング層中のペロブスカイト半導体は、第１の層中のペロブスカイト半導体と接触する。前記キャッピング層であり得る開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層は、典型的にはｎ型領域又はｐ型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する。本発明は、ペロブスカイトの溶液堆積又は気相堆積を典型的に含むこのような光電子素子を製造するためのプロセスをやはり提供する。一実施例では、プロセスは低温プロセスであり、例えば、全プロセスを、１５０℃を超えない１つ又は複数の温度で実行することができる。