| 主权项 |
1.一种用于电源路由之装置,其包括: 一具有一顶部金属层之晶粒,该顶部金属层包括至 少一第一金属线及一第二金属线; 一覆盖该顶部金属层之钝化层; 该钝化层上之一导电凸块;及 该钝化层内之一第一钝化开口及一第二钝化开口, 该第一钝化开口用以将该第一金属线电连接至该 导电凸块,且该第二钝化开口用以将该第二金属线 电连接至该导电凸块。 2.如请求项1之装置,其中该第一及该第二金属线包 括铜。 3.如请求项1之装置,其中该导电凸块包括焊料。 4.如请求项1之装置,其中该导电凸块系一铜凸块。 5.如请求项1之装置,其中该导电凸块之直径小于120 m。 6.如请求项1之装置,其中该第一金属线及该第二金 属线大体上彼此平行。 7.如请求项1之装置,其中该第一金属线及该第二金 属线宽度均小于10m。 8.如请求项6之装置,其中该第一金属线及该第二金 属线间隔小于50m。 9.一种用于电源路由之装置,其包括: 一具有一顶部金属层之晶粒,该顶部金属层包括至 少一第一金属线及一第二金属线; 一覆盖该顶部金属层之钝化层,该钝化层包含复数 个钝化开口;及 置放于该钝化层上之复数个导电凸块,每一该等复 数个导电凸块覆盖至少两钝化开口且电连接至至 少该第一金属线及该第二金属线。 10.如请求项9之装置,其进一步包括一位于该顶部 金属层正下方之第二金属层。 11.如请求项9之装置,其中该第二金属层包括复数 个金属线,该等金属线大体上垂直于该第一金属线 及该第二金属线而延伸。 12.如请求项11之装置,其中该第一金属线、该第二 金属线及该等复数个金属线均包括铜。 13.如请求项9之装置,其中每一该等复数个导电凸 块均包括铜。 14.如请求项9之装置,其中每一该等复数个导电凸 块均包括焊料。 15.如请求项13之装置,其中每一该等复数个导电凸 块之直径均小于120m且位于距离另一导电凸块小 于75m处。 16.如请求项9之装置,其中该第一金属线及该第二 金属线大体上彼此平行。 17.如请求项9之装置,其中该第一金属线及该第二 金属线宽度均小于10m。 18.如请求项9之装置,其中该第一金属线及该第二 金属线间隔小于50m。 19.一种用于电源路由之装置,其包括: 一晶粒,其具有一高电源区域、一低电源区域及一 顶部金属层; 该高电源区域中之该顶部金属层上的一第一金属 线及一第二金属线; 该低电源区域中之该顶部金属层上的一第三金属 线; 一覆盖该顶部金属层之钝化层,该钝化层包含复数 个钝化开口; 该高电源区域中之该钝化层上的一导电凸块,该导 电凸块覆盖至少两钝化开口且电连接至至少该第 一金属线及该第二金属线;及 该低电源区域中之该钝化层上的一导电凸块,该导 电凸块覆盖一钝化开口且电连接至该第三金属线 。 20.如请求项19之装置,其中该等金属线包括铜。 21.如请求项19之装置,其中该等导电凸块包括焊料 。 22.如请求项19之装置,其中该等导电凸块系C4凸块 。 23.如请求项19之装置,其中该等导电凸块之直径小 于120m。 24.如请求项19之装置,其中该第一金属线及该第二 金属线每一个均比该第三金属线窄。 25.一种用于电源路由之方法,其包括以下步骤: 在一半导体器件之顶部表面上形成一钝化层,该半 导体器件之该顶部表面包含复数个金属线; 在该钝化层中形成复数个钝化开口以曝露每一该 等复数个金属线之部分;及 将一C4凸块置放于该钝化层上,使得该C4凸块被置 放于该等复数个钝化开口中之至少两个的上方,且 连接至该等复数个金属线中之至少两个。 26.如请求项25之方法,其中该等复数个金属线大体 上彼此平行地延伸。 27.如请求项26之方法,其中该等复数个金属线包括 铜。 28.如请求项25之方法,其中每一该等复数个金属线 宽度均小于10m。 29.如请求项25之方法,其中每一该等复数个金属线 均位于距离彼此小于50m处。 30.如请求项25之方法,其中该C4凸块包括一导电材 料。 31.如请求项25之方法,其中该C4凸块包括焊料。 32.如请求项25之方法,其中该C4凸块之直径小于120 m。 图式简单说明: 图1说明连接至晶粒之顶部金属层的C4凸块阵列之 俯视图。 图2说明根据本发明之一实施例连接至晶粒之顶部 金属层的C4凸块之俯视图。 图3说明根据本发明之一实施例连接至晶粒之顶部 金属层的C4凸块之俯视图。 图4说明根据本发明之一实施例连接至晶粒之顶部 金属层的C4凸块之横截面图。 图5说明根据本发明之一实施例连接至晶粒之顶部 金属层的C4凸块阵列之俯视图。 图6说明根据本发明之一实施例将晶粒连接至封装 的C4凸块之横截面图。 图7为说明根据本发明之实施例之方法的流程图。 |
