| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung wird bereitgestellt, die ein SiC- oder GaN-Element verwendet, ein Abdichtharz beinhaltet, das mit geringerer Wahrscheinlichkeit durch thermische Oxidation zersetzt wird, selbst wenn das Halbleiterelement bei hohen Temperaturen von 175°C oder darüber in Betrieb ist, das Auftreten eines Risses verhindern kann und hohe Zuverlässigkeit und Haltbarkeit aufweist. Eine Halbleitervorrichtung (100) beinhaltet einen Formkörper, der durch Abdichten eines Bauteils, das ein Halbleiterelement (6), ein Isoliersubstrat (4), das mit einer Oberfläche des Halbleiterelements gebondet ist, und eine Leiterplatte (9) beinhaltet, die zum Verbinden mit einem externen Schaltkreis verwendet wird und mit der anderen Oberfläche des Halbleiterelements gebondet ist, mit einem Abdichtungsmaterial erlangt wird. Das Abdichtungsmaterial beinhaltet ein erstes Abdichtungsmaterial (13), das ein Nanokompositharz ist, das ein Epoxidgrundharz, ein Aushärtungsmittel und ein anorganisches Füllmaterial mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 1 nm bis 100 nm enthält und ein zweites Abdichtungsmaterial (11), das ein Duroplastharz, ein Thermoplastharz oder eine Mischung aus diesen ist, ohne das anorganische Füllmaterial zu enthalten. |
