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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine bipolare Transistorstruktur (100) Folgendes enthalten: ein Substrat (102), eine Kollektorzone (104c) im Substrat (102), eine über der Kollektorzone (104c) angeordnete Basiszone (104b), eine über der Basiszone (104b) angeordnete Emitterzone (104e), einen Basisanschluss (106), der die Basiszone (104b) lateral elektrisch kontaktiert, wobei der Basisanschluss (106) Polysilicium enthält. |
