半導体装置

摘要

ワイドバンドギャップ半導体を用いたＪＢＳダイオードにおいて、ワイドバンドギャップ半導体の内蔵電位が大きいために、ｐｎダイオード部がオンしにくい場合があり、このことによってサージ電流耐性が十分に確保できない場合があった。この問題を解決するために、ワイドバンドギャップＪＢＳダイオードにおいて、ｐｎダイオードのｐｎ接合をショットキ電極から離れた箇所に形成し、また、ショットキ電極から離れた箇所でウェル領域の幅を狭く形成する。