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<p>Halbleiter-Geigermodus-Mikrozellenphotodiode mit einem Substrat mit p-Leitfähigkeit mit einer Dotierstoffkonzentration von 1012–1017 cm–3, die aus mehreren ähnlichen Zellen besteht, von denen jede nacheinander eine Schicht mit n-Leitfähigkeit mit einer Dotierstoffkonzentration von 5·1016–8·1017 cm–3, eine i-Schicht mit einer Leitfähigkeit nahe der intrinsischen Leitfähigkeit und einer Dotierstoffkonzentration von 1012–1017 cm–3, eine Schicht mit p+-Leitfähigkeit, die als Eintrittsfenster wirkt, das auf einer nicht planaren Oberfläche angeordnet ist, und die eine kleinere i-Schicht-Dicke im zentralen Teil der Zelle und eine größere i-Schicht-Dicke im Zellenrandbereich liefert, mit einer Dotierstoffkonzentration, die für die Verhinderung der vollständigen Verarmung der p+-Schicht bei der Arbeitsvorspannung ausreicht, umfasst, wobei jede Zelle einen Widerstand umfasst, der die Schicht mit p+-Leitfähigkeit mit einem Leistungsbus verbindet, und Trennelemente zwischen den Zellen angeordnet sind.</p> |
