| 摘要 |
<p>Bei einer Struktur, bei der eine Durchschlagsspannung eines Halbleiterbauelements sichergestellt wird, indem ein Kanalstoppbereich an einem Grenzteil zwischen einer äußeren Randseitenoberfläche und einer Stirnfläche des Halbleitersubstrats bereitgestellt wird, ist der Kanalstoppbereich durch eine Vielzahl von Bereichen mit verschiedenen Dotierstoffkonzentrationen ausgebildet. Dabei erfüllt der Kanalstoppbereich die folgenden Beziehungen: Die Störstellenkonzentrationen der Vielzahl der Bereiche sind höher als für Bereiche, die näher an der äußeren Randseitenoberfläche des Halbleitersubstrats liegen; und eine Tiefe eines Bereichs mit hoher Dotierstoffkonzentration ist gleich oder tiefer als eine Tiefe eines Bereichs mit niedriger Dotierstoffkonzentration. Die Konzentration des elektrischen Feldes ist um den Kanalstoppbereich verringert, und eine Durchschlagsspannung des Halbleitersubstrats steigt.</p> |
