| 摘要 |
<p>第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、第１の金属酸化物から構成される金属酸化物材料層を形成する工程と、前記金属酸化物材料層の主面上の一部にマスクを形成する工程と、前記金属酸化物材料層の前記マスクに覆われていない領域に、前記第１の金属酸化物よりも酸素不足度の小さい第２の金属酸化物から構成される高酸素濃度領域を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記高酸素濃度領域と前記金属酸化物材料層のうちの前記高酸素濃度領域以外の領域で構成される低酸素濃度領域とで構成される第１の抵抗変化層上に、前記第１の金属酸化物よりも酸素不足度の小さい第３の金属酸化物から構成される第２の抵抗変化層を形成する工程と、前記第２の抵抗変化層上に第２の電極を形成する工程とを含む。</p> |
