NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF

摘要

여기에 제공되는 불 휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 어레이와; 프로그램될 데이터에 따라 상기 메모리 셀 어레이의 비트 라인들을 비트 라인 전압으로 구동하는 읽기/쓰기 회로와; 상기 프로그램될 데이터의 양에 따라 변화되는 비트 라인 셋업 시간을 각 프로그램 루프에서 측정하는 비트 라인 셋업 시간 측정 회로와; 그리고 상기 각 프로그램 루프에서 측정된 비트 라인 셋업 시간들에 의거하여 상기 메모리 셀 어레이의 선택된 워드 라인으로 인가되는 프로그램 전압을 제어하는 제어 로직을 포함한다.