基板処理装置および半導体装置の製造方法

摘要

基板を支持する基板支持部を有する処理空間と、前記処理空間にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理空間からガスを排出するガス排出部と、前記処理空間のガスの酸素濃度を検出する酸素濃度検出部と、前記基板支持部に基板が支持された状態で、前記酸素濃度検出部が検出した前記処理空間のガスの酸素濃度が閾値以下である場合に、前記マイクロ波供給部から前記処理空間にマイクロ波を供給するよう制御する制御部と、を備えるように基板処理装置を構成する。