| 摘要 |
磁界プローブ（１）の検出部（２０）は、多層基板（１０）の第１の面（１６）に形成され、磁界プローブ（１）の軸線（３）方向に対して所定の傾きφを持った第１配線パターン（３１）と、第２の面（１７）に形成され、軸線（３）方向に対して所定の傾きφを持った第２配線パターン（３２）と、多層基板（１０）を厚み方向に貫通し、第１配線パターン（３１）の先端部（３１ｂ）と第２配線パターン（３２）の先端部（３２ｂ）とを接続する第１貫通ビア（４１）とを備える。第１配線パターン（３１）の後端部（３１ａ）は、ストリップ線路（８０）を構成する導体パターン（８４）に接続され、第２配線パターン（３２）の後端部（３２ｂ）は、ストリップ線路（８０）を構成するグランドパターン（８２，８３）に接続される。 |
