| 摘要 |
<p>SiC 기재 상에 게이트산화막을 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명은 HNO수용액으로부터 HNO증기를 포함하는 가스상을 발생시키는 단계; 상기 HNO가스상을 SiC 기판으로 유도하는 단계; 및 상기 HNO가스상과 SiC 기판을 반응하여 상기 기판 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 기판 상의 질화처리 산화막 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기상의 HNO를 이용하여 SiC 기판 상에 높은 속도로 낮은 결함 밀도를 갖는 고품질의게이트산화막을 형성할 수 있게 된다.</p> |
