| 主权项 |
1.一种矽晶圆之制造方法,其特征为:对于含有格子 间氧之矽晶圆藉进行快速加热快速冷却装置之 热处理(RTA处理),从晶圆表面注入原子空孔将于晶 圆之深度方向之原子空孔浓度之最大位置形成于 晶圆表面附近之后,将形成于该晶圆表面附近之原 子空孔浓度之最大位置实施使其移动于晶圆内部 之热处理热处理(后退火热处理(postanneal)。 2.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中 将上述RTA处理在较氧淀积量或BMD密度变成最大値 之最佳温度之更高温度下进行。 3.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法,其中 使用与含有上述格子氧之矽晶圆同一条件下所制 作之其他复数矽晶圆,对于其各晶圆从1100℃~1350℃ 温度范围所选择之复数不同温度进行RTA处理,对于 进行该RTA处理之各晶圆进行氧淀积处理以求出氧 淀积量或BMD密度与RTA处理温度之关系来决定上述 氧淀积量或BMD密度变成最大値之最佳温度。 4.如申请专利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中 将上述RTA处理,在含有氮之雰围下,在1100~1350℃温 度范围下进行。 5.如申请专利范围第2项之矽晶圆之制造方法,其中 将上述RTA处理,在含有氮之雰围下,在1100~1350℃温 度范围下进行。 6.如申请专利范围第3项之矽晶圆之制造方法,其中 将上述RTA处理,在含有氮之雰围下,在1100~1350℃温 度范围下进行。 7.如申请专利范围第1项至第6项之任一项之矽晶圆 之制造方法,其中将上述后退火热处理在900~1050℃ 温度范围下进行。 8.如申请专利范围第7项之矽晶圆之制造方法,其中 在上述900~1050℃温度范围下进行之后退火热处理, 系在保持该温度范围内之特定温度之热处理炉内 投入矽晶圆进行。 9.如申请专利范围第1项至第6项之任一项之矽晶圆 之制造方法,其中作为含有上述格子间氧之矽晶圆 ,使用全面为N-领域所形成之CZ矽晶圆。 10.如申请专利范围第7项之矽晶圆之制造方法,其 中作为含有上述格子间氧之矽晶圆,使用全面为N- 领域所形成之CZ矽晶圆。 11.如申请专利范围第8项之矽晶圆之制造方法,其 中作为含有上述格子间氧之矽晶圆,使用全面为N- 领域所形成之CZ矽晶圆。 12.一种矽晶圆,其特征为;体(bulk)中之BMD密度之最 大値为41010/cm3以上,并且DZ层宽为15m以上。 13.如申请专利范围第12项之矽晶圆,其中存在于晶 圆表面之直径0.1m以上之COP密度为0.2个/cm2以下 。 图式简单说明: 第1图系表示实施例1及2之后退火热处理温度与氧 淀积量关系之图表。 第2图系表示实施例1及2之后退火热处理温度与BMD 密度关系之图表。 第3图系表示实施例1及2之后退火热处理温度与DZ 层宽关系之图表。 第4图系表示实验例1之RTA温度与氧淀积量关系之 图表。 第5图系表示实验例1之RTA温度与BMD密度关系之图 表。 第6图系表示实验例1之RTA温度与氧淀积量关系之 图表。 第7图系用来说明推论关于本发明方法之机制之矽 晶圆剖面说明图,(a)系表示RTA处理前,(b)系表示RTA 处理后,(c)系表示后退火热处理后之状态。 第8图系快速加热快速冷冻装置(RTA装置)一例之 概略说明图。 |
