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Es wird eine Technik zur Verbesserung der Kühlkapazität eines Halbleitermoduls, welches Pin-Bonding verwendet, vorgesehen. Das Halbleitermodul enthält: einen Pin (4), der mit einem Halbleiterelement (1) verbunden ist; ein Pin-Verdrahtungssubstrat (5), das einen zweiten Metallfilm (5c) und einen ersten Metallfilm (5b) auf der oberen bzw. unteren Oberfläche hat, wobei der erste Metallfilm (5b) und der zweite Metallfilm (5c) mit dem Pin (4) elektrisch verbunden sind; Lot (3c), das den Pin (4) und das Halbleiterelement (1) verbindet; ein DCB-Substrat (2), das einen dritten Metallfilm (2b) und einen vierten Metallfilm (2c) auf der oberen bzw. unteren Oberfläche hat, wobei der dritte Metallfilm (2b) an eine untere Oberfläche des Halbleiterelements (1) gebondet ist; und einen ersten Kühler (6), der mit dem vierten Metallfilm (2c) verbunden ist. Das Verhältnis (H/T) einer Höhe (H) des Lots zu einem Abstand (T) von dem Halbleiterelement (1) zu dem ersten Metallfilm (5b) ist gleich oder größer als 0,2 und gleich oder kleiner als 0,7. |
