发明名称 半导体装置
摘要 提供一种可以提升集极与发射极电流特性、缩短下降时间、且提升寄生闸流晶体管(thyristor)之内锁耐量的半导体装置。一种由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置,其中个别之该单位半导体元件包括:第1导电型半导体基板;第2导电型半导体区域,设于该半导体基板;第1导电型集极层,设于该半导体区域中;环状第1导电型基极层,从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式,设于该半导体区域中;以及第2导电型之第1发射极层,设于该基极层中且呈现环状配置。其特征在于:个别之该单位半导体元件系由在形成于该基极层之通道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成,且该单位半导体元件彼此相邻而设置。
申请公布号 TW200733381 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095140971 申请日期 2006.11.06
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 幡手一成
分类号 H01L29/739(2006.01) 主分类号 H01L29/739(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本