| 摘要 |
【课题】提供一种能大幅提高原料气体使用效率，同时，使对应原料气体之膜厚均匀形成，而且维修频率比先前物件少而提高生产性之气化器，半导体制造装置及半导体制造方法。【解决手段】ALD动作时，使承载气体持续供给到反应室(402)，使以微量定量帮浦(54)定量而对应1原子层或1分子层膜厚之既定量原料溶液间歇地供给到气化机构(20)，使由藉此所得既定量原料溶液所形成之原料气体与承载气体一齐供给到反应室(402)。因此，气浴式热CVD装置(1)中，藉由反应室侧阀体(404)及排气侧阀体(407)之开闭动作，能避免原料气体之废弃，同时，能使1原子层或1分子层期望膜厚之薄膜依序形成在基板(420)上，而且在依序形成1原子层或1分子层膜厚之薄膜的过程中，仅就不废弃原料气体之量就能大幅提高原料气体之使用效率。 |
