发明名称 薄膜电晶体与薄膜电晶体阵列基板
摘要 一种薄膜电晶体,其包括闸极、闸绝缘层、通道层、螺旋状源极以及螺旋状汲极。闸绝缘层覆盖闸极。通道层设置于闸极上方之闸绝缘层上。螺旋状源极设置于闸极上方之通道层上,螺旋状汲极设置于闸极上方之通道层上,且螺旋状源极与螺旋状汲极是以相互绕旋之状态而设置。藉由螺旋状源极与螺旋状汲极之设计,能够提高通道W/L比,且能降低闸极-汲极寄生电容Cgd。
申请公布号 TW200733395 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095105613 申请日期 2006.02.20
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 涂志中
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 台北市中山区中山北路3段22号