发明名称 |
晶体管的形成方法 |
摘要 |
一种晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底表面形成复合层,复合层包括:位于半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层,当牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时,半导体层的材料为硅或锗,或当半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时,牺牲层的材料为硅或锗;在复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部,支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的表面;在形成支撑部后,刻蚀去除牺牲层;之后在半导体层表面形成栅极结构,在支撑部内形成源/漏区。所形成的晶体管漏电流减少,偏置温度稳定,性能良好。 |
申请公布号 |
CN103426764B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201210165854.6 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
陈勇 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成复合层,所述复合层包括:位于所述半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层,当所述牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时,所述半导体层的材料为硅或锗,或当所述半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时,所述牺牲层的材料为硅或锗;在所述复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部,所述支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的顶部表面;在形成所述支撑部后,刻蚀去除所述牺牲层;在去除牺牲层后,在所述半导体层表面形成栅介质层;在所述栅介质层表面形成栅电极层;在所述支撑部内进行离子注入形成源/漏区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |