| 发明名称 | 金属氧化层半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103296082B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201210045076.7 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 孙贵鹏;张森;吴孝嘉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜娟娟;王忠忠 |
| 主权项 | 一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，其中，所述第二导电性材料层作为所述金属氧化层半导体场效应晶体管的漏极漂移区，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层，其中，在所述第二导电性材料层上的作用区分别敷设金属层以形成一组肖特基接面，相邻肖特基接面由敷设在所述第二导电性材料层上非作用区的场氧隔开。 | ||
| 地址 | 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||