| 发明名称 | 调控SiC纳米阵列密度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的调控SiC纳米阵列密度的方法，包括如下步骤，1)、前躯体准备；基体准备；2)、催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层；3)、将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。本发明公开的制备方法工艺简单，生产方便，便于扩大规模，安全性好，产品质量稳定性好，产品性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105133017A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510404012.5 | 申请日期 | 2015.07.08 |
| 申请人 | 宁波工程学院 | 发明人 | 王霖;陈善亮;杨为佑 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B1/00(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人 | 张向飞 |
| 主权项 | 调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：包括如下步骤，1)、前躯体准备；基体准备；2)、催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层，通过调节催化剂层的厚度实现对SiC纳米阵列的阵列密度的调控；3)、将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。 | ||
| 地址 | 315000 浙江省宁波市镇海区风华路201号 | ||