| 发明名称 | 互连结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种互连结构的形成方法，包括下述步骤：提供具有介质层的硅片；在介质层上形成第一凹槽区和非凹槽区，第一凹槽区用于形成互连结构；在介质层上形成第二凹槽区，第二凹槽区用于形成虚拟结构；沉积阻挡层以覆盖第一和第二凹槽区、以及非凹槽区；沉积金属层，金属层填满第一和第二凹槽区并覆盖非凹槽区上；将非凹槽区上的金属层去除以暴露阻挡层；将非凹槽区上的阻挡层去除以暴露介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN105144363A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201280077240.0 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 王坚;贾照伟;王晖 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供具有介质层的硅片；在介质层上形成第一凹槽区和非凹槽区，第一凹槽区用于形成互连结构；在介质层上形成第二凹槽区，第二凹槽区用于形成虚拟结构；沉积阻挡层以覆盖第一和第二凹槽区、以及非凹槽区；沉积金属层，金属层填满第一和第二凹槽区并覆盖非凹槽区上；将非凹槽区上的金属层去除以暴露阻挡层；将非凹槽区上的阻挡层去除以暴露介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 | ||