LED外延结构

摘要

本实用新型公开了一种LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的n-GaN层；位于n-GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；位于InGaN/GaN量子阱层上的p-AlGaN层，所述p-AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；位于p-AlGaN层上的n-InGaN接触层。本实用新型中在InGaN/GaN量子阱层之上的外延层，全部在低于GaN量子垒的温度下生长，以最大程度地减少对量子阱结构破坏，形成高质量的低温InGaN/GaN量子阱层，有利于提升内量子效率；取消了现有技术中高温生长的p-GaN层，从而可降低吸光效应，有利于提升外部量子效率。

主权项

一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的n‑GaN层；位于n‑GaN层上的InGaN/GaN量子阱层，所述InGaN/GaN量子阱层包括若干周期堆叠的GaN势垒层和InGaN势阱层，所述InGaN/GaN量子阱层上形成有若干V型坑；位于InGaN/GaN量子阱层上的p‑AlGaN层，所述p‑AlGaN层填充InGaN/GaN量子阱层上的V型坑；位于p‑AlGaN层上的n‑InGaN接触层。